Năng lượng mặt trời là dạng năng lượng rẻ nhất và dễ tiếp cận nhất. Bây giờ, nó hứa hẹn sẽ hiệu quả hơn bao giờ hết. Các nhà khoa học từ một công ty công nghệ năng lượng mặt trời của Trung Quốc đã phát triển một loại pin mặt trời mới có thể thay đổi cuộc chơi trong quá trình chuyển đổi của thế giới sang năng lượng tái tạo.
Mô hình tiên tiến, được thực hiện bởi các nhà nghiên cứu tại TU Delft, đóng một vai trò quan trọng trong sự hiểu biết sâu sắc và kỹ thuật của sự đổi mới. Pin mặt trời mới được làm bằng vật liệu tương tự như các pin mặt trời hiện tại nhưng hoạt động tốt hơn nhiều với hiệu suất 26,81%. Sự đổi mới tiếp tục củng cố vai trò quan trọng của pin mặt trời trong quá trình chuyển đổi năng lượng. Kết quả nghiên cứu được công bố ngày 4/5 trên tạp chí Nature Energy.
Báo cáo về bước đột phá này là kết quả của sự hợp tác quốc tế độc đáo giữa LONGi Green Energy Technology Co., Ltd, một trong những nhà sản xuất pin mặt trời hàng đầu thế giới có chất lượng cao nhất cùng với Đại học Sun Yat-Sen (SYSU) và Đại học Công nghệ Delft (TU Delft). Nhóm nghiên cứu đã tối ưu hóa thiết kế của pin mặt trời bằng cách sử dụng "lớp tiếp xúc lỗ silicon tinh thể nano" được cải tiến. Một lớp mới như vậy đã được biết đến trong một thời gian khá dài, nhưng nó chỉ có trên lý thuyết và vẫn chưa có cách nào để đưa vào thực tế.
Lớp mới có thể truyền điện với điện trở ít hơn nhiều và dẫn đến hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn bất kỳ loại pin mặt trời nào khác được làm từ silicon tinh thể. Các nhà nghiên cứu tại LONGi đã phát triển công nghệ mới này trên các tấm silicon tiêu chuẩn, làm cho công nghệ này gần như ngay lập tức được áp dụng trong sản xuất các tấm pin mặt trời.
Xixiang Xu, phó chủ tịch Viện R&D Trung ương LONGi cho biết: Hiệu suất được cải thiện là khá đáng kể khi so sánh với các công nghệ trước đó, thể hiện một bước nhảy vọt tuyệt đối về hiệu suất chuyển đổi là 1,5%. "Điều này đứng đầu hiệu suất của tất cả các kiến trúc pin mặt trời silicon tinh thể khác hiện có ở thời điểm hiện tại, chiếm hơn 95% pin mặt trời được sản xuất trên toàn thế giới".
Pingqi Gao, giáo sư tại SYSU nói: "Nghiên cứu về các lớp tiếp xúc lỗ silicon với năng lượng kích hoạt thấp là rất kịp thời và cực kỳ quan trọng, công việc của chúng tôi thể hiện sự tiến bộ lớn trong việc khám phá hiệu suất điện của các lỗ tiếp điểm, có lợi cho dị thể, và tất cả các pin mặt trời dựa trên tinh thể silicon". Việc trình diễn kiến trúc pin mặt trời này đẩy nhanh đáng kể quá trình chuyển đổi năng lượng với việc triển khai các mô-đun quang điện hiệu quả hơn.
Mô hình tiên tiến, được thực hiện bởi các nhà nghiên cứu tại TU Delft, đóng một vai trò quan trọng trong việc hiện thực hóa sự đổi mới. Với các mô hình mới, nhóm nghiên cứu đã có thể chi tiết hóa các rào cản năng lượng trên các giao diện tạo thành điểm nối phía sau của pin mặt trời LONGi. Bằng cách này, đường dẫn thu thập các lỗ trên các giao diện có thể được phân tích, giải thích hiệu suất vượt trội của thiết bị.
Mô hình tiên tiến, được thực hiện bởi các nhà nghiên cứu tại TU Delft, đóng một vai trò quan trọng trong sự hiểu biết sâu sắc và kỹ thuật của sự đổi mới. Pin mặt trời mới được làm bằng vật liệu tương tự như các pin mặt trời hiện tại nhưng hoạt động tốt hơn nhiều với hiệu suất 26,81%. Sự đổi mới tiếp tục củng cố vai trò quan trọng của pin mặt trời trong quá trình chuyển đổi năng lượng. Kết quả nghiên cứu được công bố ngày 4/5 trên tạp chí Nature Energy.
Báo cáo về bước đột phá này là kết quả của sự hợp tác quốc tế độc đáo giữa LONGi Green Energy Technology Co., Ltd, một trong những nhà sản xuất pin mặt trời hàng đầu thế giới có chất lượng cao nhất cùng với Đại học Sun Yat-Sen (SYSU) và Đại học Công nghệ Delft (TU Delft). Nhóm nghiên cứu đã tối ưu hóa thiết kế của pin mặt trời bằng cách sử dụng "lớp tiếp xúc lỗ silicon tinh thể nano" được cải tiến. Một lớp mới như vậy đã được biết đến trong một thời gian khá dài, nhưng nó chỉ có trên lý thuyết và vẫn chưa có cách nào để đưa vào thực tế.
Lớp mới có thể truyền điện với điện trở ít hơn nhiều và dẫn đến hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn bất kỳ loại pin mặt trời nào khác được làm từ silicon tinh thể. Các nhà nghiên cứu tại LONGi đã phát triển công nghệ mới này trên các tấm silicon tiêu chuẩn, làm cho công nghệ này gần như ngay lập tức được áp dụng trong sản xuất các tấm pin mặt trời.
Xixiang Xu, phó chủ tịch Viện R&D Trung ương LONGi cho biết: Hiệu suất được cải thiện là khá đáng kể khi so sánh với các công nghệ trước đó, thể hiện một bước nhảy vọt tuyệt đối về hiệu suất chuyển đổi là 1,5%. "Điều này đứng đầu hiệu suất của tất cả các kiến trúc pin mặt trời silicon tinh thể khác hiện có ở thời điểm hiện tại, chiếm hơn 95% pin mặt trời được sản xuất trên toàn thế giới".
Pingqi Gao, giáo sư tại SYSU nói: "Nghiên cứu về các lớp tiếp xúc lỗ silicon với năng lượng kích hoạt thấp là rất kịp thời và cực kỳ quan trọng, công việc của chúng tôi thể hiện sự tiến bộ lớn trong việc khám phá hiệu suất điện của các lỗ tiếp điểm, có lợi cho dị thể, và tất cả các pin mặt trời dựa trên tinh thể silicon". Việc trình diễn kiến trúc pin mặt trời này đẩy nhanh đáng kể quá trình chuyển đổi năng lượng với việc triển khai các mô-đun quang điện hiệu quả hơn.
Mô hình tiên tiến, được thực hiện bởi các nhà nghiên cứu tại TU Delft, đóng một vai trò quan trọng trong việc hiện thực hóa sự đổi mới. Với các mô hình mới, nhóm nghiên cứu đã có thể chi tiết hóa các rào cản năng lượng trên các giao diện tạo thành điểm nối phía sau của pin mặt trời LONGi. Bằng cách này, đường dẫn thu thập các lỗ trên các giao diện có thể được phân tích, giải thích hiệu suất vượt trội của thiết bị.